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Implantação de sistemas avançados de planejamento (APS): um estudo de caso na indústria de laticínios.; Implementation of advanced planning systems (APS): a case study on the dairy industry.

Zago, Cecília Farid
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: dissertação de mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 25/09/2013 Português
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36.73%
O contexto de elevada competitividade empresarial resulta em aumento das exigências por eficiência operacional, como redução dos níveis de estoques e melhoria nos níveis de serviço oferecido aos clientes. Desta forma as decisões tomadas no planejamento tático das companhias ganham complexidade e criticidade. Neste contexto há uma demanda por parte das empresas pela implantação de sistemas de apoio à decisão cada vez mais robustos. É neste cenário que a aplicação de APS no processo de S&OP adquire grande relevância, motivando o entendimento das melhorias trazidas ao processo de planejamento pela ferramenta. Este trabalho foi então norteado por duas questões de pesquisa: quais são os benefícios trazidos para o S&OP com a utilização de APS e quais são os fatores críticos para o sucesso da implantação deste sistema. Para isso, foi feito um estudo de caso em uma empresa que representa bem o contexto desta pesquisa, trata-se de uma grande empresa de lácteos da indústria alimentícia brasileira. Inserida em um setor com elevada competição de mercado e margens de lucro estreitas, há na empresa em questão uma grande necessidade de operar de maneira eficiente. Esta empresa possui múltiplas plantas industriais e passou recentemente pela implantação de um APS para suporte ao seu processo de S&OP...

Implantação automatizada de composições de serviços web de grande escala; Automated deployment of large scale web service compositions

Leite, Leonardo Alexandre Ferreira
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: dissertação de mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 26/05/2014 Português
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A implantação de composições de serviços web de grande escala apresentam vários desafios, tais como falhas corriqueiras na infraestrutura, heterogeneidade tecnológica, distribuição do sistema por diferentes organizações e atualização frequente dos serviços em operação. Nesta dissertação, estudamos como uma implantação automatizada baseada em middleware pode auxiliar na superação de tais desafios. Para isso, desenvolvemos o CHOReOS Enactment Engine, um sistema de middleware que possibilita a implantação distribuída e automatizada de composições de serviços web em uma infraestrutura virtualizada, operando no modelo de computação em nuvem denominado Plataforma como um Serviço. O middleware desenvolvido é avaliado qualitativamente em comparação a abordagens de implantação ad-hoc e quantitativamente pela sua escalabilidade em relação ao tempo de implantação das composições de serviços.; The deployment of large-scale service compositions presents several challenges, such as infrastructure failures, technological heterogeneity, distributions across different organizations, and continuous services updating. In this master thesis, we study how the automated deployed supported by middleware can help in overcoming such challenges. For this purpose...

Recomendações para a implantação da Manufatura Enxuta considerando os propósitos da Produção mais Limpa; Recommendations for the implementation of Lean Manufacturing considering proposals for Cleaner Production

Queiroz, Geandra Alves
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: dissertação de mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 04/05/2015 Português
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As empresas operam em um ambiente cada vez mais dinâmico e competitivo, tornando imprescindível atender adequadamente às necessidades dos consumidores. Na atualidade, estas demandas foram ampliadas e, além de custo, qualidade, velocidade de entrega e flexibilidade, identifica-se um mercado que passa a cobrar pela redução dos impactos ambientais gerados pelos produtos e processos. Deste modo, esta pesquisa defende a proposição de que a Manufatura Enxuta, uma filosofia de gestão da produção, somada aos propósitos da Produção mais Limpa (PmaisL), uma estratégia de gestão ambiental para sistemas produtivos, pode ser uma solução para o alinhamento de seus objetivos, visto que ambas buscam o aumento de produtividade e a eliminação dos desperdícios. Para a implantação da Manufatura Enxuta não foi determinado um método que oriente como realizar este processo e quais são as práticas essenciais, além de ter poucas pesquisas que buscam compreender os fatores disto. Do mesmo modo, pesquisas que abordem a Manufatura Enxuta e a PmaisL ainda são preliminares. Neste sentido, o objetivo desta pesquisa foi propor recomendações para a implantação da Manufatura Enxuta considerando os propósitos da PmaisL, estruturadas no ciclo de melhoria contínua do método DMAIC. O método de pesquisa utilizado para alcançar o objetivo proposto foi o estudo de caso único em uma empresa de referência e o embasamento teórico foi pautado em uma revisão bibliográfica sistemática (RBS). Os resultados gerados com o desenvolvimento dessa pesquisa permitiram observar que não existe um método padrão para a implantação e que a literatura...

Sistema de gestão da qualidade e a sua implantação; Quality management system and its implementation

Petrini, Maira De Cassia
Tipo: working paper
Português
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O objetivo desse trabalho foi identificar os pontos fortes e fracos - premissas básicas, funções e procedimentos, que se mostrem relevantes no decorrer da implantação de um sistema de Gestão da Qualidade Total. Buscou-se estabelecer um conjunto de critérios, associados desde ao sistema de informação, até à cultura da organização ou a sua estratégia de gestão, que pudessem vir a sugerir algumas mudanças no processo e servir de base para a proposição de um protocolo de implantação dos sistemas de gestão da qualidade. Foi elaborado um guia inicial compilando as tendências e pontos identificados na revisão bibliográfica como relevantes para o sucesso na implantação de um sistema de gestão da qualidade. A compilação categorizou os pontos sob três enfoques: técnico, conceitual e estratégico. Esse guia de análise norteou a condução e o acompanhamento da pesquisa de campo. O método de pesquisa adotado foi o Estudo de Caso, no qual acompanhou-se o processo de implantação de um sistema de Gestão da Qualidade Total, analisando as principais causas do sucesso e fracasso do mesmo, e uma possível associação com os pontos fortes e fracos identificados. Por meio dos dados coletados através dos instrumentos de pesquisa...

Estudo de difusão de impurezas introduzidas por implantação iônica em polímeros

Soares, Marcio Ronaldo Farias
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Português
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No presente trabalho estudamos de forma sistemática a difusão de impurezas em filmes poliméricos usando as técnicas de implantação iônica e análise por feixe de íons, retroespalhamento Rutherford e de perfil de profundidade por nêutrons. Com este propósito foram implantadas e realizadas medidas em diferentes intervalos de temperatura para diferentes sistemas como (Au, Ag) no fotoresiste AZ1350, (Bi, Eu, Er, B) no fotoresiste S1813 e (Xe, Kr) no termoplástico Poliestireno. Como resultado mostrou-se que para implantações em baixas energias e fluências Au, Ag seguem uma difusão regular. Os valores obtidos para os parâmetros de difusão são semelhantes indicando assim um mecanismo de difusão verdadeiramente atômico. É mostrado também que com o aumento da fluência, devido aos danos gerados pelo processo de implantação, átomos são aprisionados na região implantada levando a um mecanismo de difusão por aprisionamento e liberação. Contudo, mostrou-se que a energia de ativação indica que este processo de difusão ainda é de caráter atômico. Da análise dos valores de D observamos um efeito de massa associado onde D(T)Au < D(T)Ag, pois a massa de Ag é duas vezes menor que a de Au. Para os elementos como Bi...

Formação e estabilidade térmica de nanocavidades produzidas pela implantação de He em Si

Silva, Douglas Langie da
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Português
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Nesta tese são apresentados os resultados de um estudo sistemático à respeito da formação e evolução térmica de nanocavidades de He em Si cristalino. O efeito da formação de nanocavidades de He no aprisionamento de impurezas em Si foi estudado inicialmente em distintas condições de fluência, temperatura e direção de implantação. Após as implantações, as amostras foram tratadas termicamente a 800°C e analisadas por espectroscopia de retroespalhamento Rutherford em condição de canalização (RBS/C), análise de detecção por recuo elástico (ERDA), espectroscopia por emissão de íons secundários (SIMS) e microscopia eletrônica de transmissão (TEM). Os resultados experimentais mostraram que implantações de He a temperatura ambiente (Ti=Tamb) levam à formação de defeitos numa região intermediária entre a superfície e a camada onde as bolhas se formam (Rp/2), sendo 5x1015He+cm-2 a fluência mínima para a observação do fenômeno. Sua origem foi atribuída à formação de pequenas cavidades nesta região. O mesmo não é observado em implantações a Ti=350°C devido ao efeito do recozimento dinâmico dos defeitos. Estes resultados mostraram a necessidade de um estudo mais profundo a respeito dos efeitos da temperatura de implantação (Ti) na formação de bolhas em Si. Este estudo foi feito a partir de implantações de He no intervalo de temperatura entre -196°C e 350°C...

Estudo da influência da temperatura de implantação na fotoluminescência de nanocristais de silício

Sias, Uilson Schwantz
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Português
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Neste trabalho estudamos a influência da temperatura de implantação iônica nas propriedades estruturais e de luminescência de nanocristais de Si em matriz de SiO2. Essas nanoestruturas, formadas por meio de implantação de Si em substratos de SiO2 mantidos entre 25 e 800 oC e tratados à temperaturas 1100°C, revelam uma intensa emissão de fotoluminescência (PL) à temperatura ambiente (RT). Os espectros de PL obtidos são compostos por duas bandas superpostas, uma na região do vermelho (l ~780 nm) e outra no infravermelho próximo (l ~ 1050 nm). Essa estrutura de PL é claramente revelada quando os espectros são medidos em regime linear de excitação (20 mW/cm2), onde temos a contribuição integral de toda a distribuição de nanopartículas. Verificamos que a temperatura de implantação, a partir de 400 oC, tem um efeito direto tanto na intensidade, quanto na posição relativa das bandas de PL. Análises de TEM revelam que amostras implantadas a quente apresentam uma distribuição de tamanhos de nanopartículas mais alargada e com diâmetros médios maiores em relação às implantadas a RT. Enquanto a banda localizada na região de l maior segue um comportamento característico de emissão por efeitos de confinamento quântico...

Caracterização da implantação de Ne em Si (100)

Peripolli, Suzana Bottega
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Português
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Esta tese apresenta um estudo sistemático sobre a formação e evolução do sistema de bolhas, cavidades e defeitos gerados pela implantação de Ne em Si monocristalino. A implantação de gases inertes em Si tem sido explorada com o objetivo de modificar a microestrutura potencializando aplicações para aprisionamento de impurezas, corte preciso, relaxação de estruturas, entre outras. A maior parte dos trabalhos conhecidos na literatura considera a implantação de He ou uma combinação de He e H em Si. Nessa tese serão explorados os efeitos da implantação de Ne em Si e as modificações estruturais ocasionadas quando parâmetros de implantação e de tratamentos térmicos posteriores são variados. Os estudos foram realizados considerando: i) substrato mantido à temperatura ambiente e com diferentes fluências de implantação, ii) substrato mantido em 250°C e diversas fluências, e iii) mais altas temperaturas de implantação e fluência fixa. Após tratamentos térmicos investigou-se como os defeitos pontuais formam defeitos estendidos e a sua evolução para discordâncias. A comparação entre as técnicas de implantação com feixe de íons monoenergéticos e plasma de íons de Ne, também foi investigada. O estudo apresenta uma descrição detalhada das interações entre o sistema de bolhas e defeitos pontuais e estendidos. Esse estudo foi feito utilizando as técnicas de espectroscopia de retroespalhamento de Rutherford (RBS/C) e microscopia eletrônica de transmissão (TEM)...

Isolação elétrica por implantação iônica em GaAs e AlGaAs

Coelho, Artur Vicente Pfeifer
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Português
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O processo de isolação elétrica por implantação de prótons é estudado para os casos do semicondutor GaAs e de estruturas DBR - Distributed Bragg Reflectors - de AlGaAs. A obtenção da energia crítica de implantação em camadas DBR de dispositivos VCSELs, Vertical Cavity Surface Emmiting Lasers, é exemplificada. Medidas da evolução da resistência destas estruturas com a dose de prótons irradiada, tanto para amostras tipo-n quanto para tipo-p, revelaram comportamentos qualitativamente semelhantes para os transportes eletrônicos paralelo e perpendicular às heterojunções. O mesmo valor de dose de limiar para isolação pode ser usado em ambos os casos. A estabilidade térmica da isolação de camadas DBR é estimada em ~150oC. O uso de um modelo simples de conservação de carga é sugerido para a simulação do processo de isolação por implantação em semicondutores, empregando como entrada a distribuição de níveis introduzidos pela irradiação. A comparação dos resultados dessa simulação com dados experimentais para o caso específico do GaAs revela que os modelos de defeitos previamente associados a antisítios na literatura não são suficientes para descrever a isolação. Os dados obtidos até então sobre a estrutura de níveis introduzida pela implantação com prótons também não reproduzem completamente o comportamento observado. Um sistema para medidas de Espectroscopia de Transientes de Níveis Profundos (DLTS) foi desenvolvido para a realização de experimentos visando identificar os níveis responsáveis pela isolação e determinar seus parâmetros relevantes. Quatro contribuições principais foram observadas em GaAs tipo-n (n1...

Síntese de SiC por implantação iônica de carbono em SIMOX(111) e Si(111)

Reis, Roberto Moreno Souza dos
Tipo: dissertação Formato: application/pdf
Português
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SiC é um semicondutor promissor para dispositivos eletrônicos de alta-potência, alta-freqüência e alta temperatura e a síntese de uma camada epitaxial de SiC por implantação, na superfície do Si, pode ser uma via de integração com a tecnologia de Si. Implantação em alta temperatura (600°C) através de uma capa de SiO2, recozimento pós-implantação a 1250°C sob um ambiente de Ar (com 1% de O2) e ataque químico são a base da presente síntese. Implantações à energia de 40 keV foram executadas em substratos SIMOX(111) e Si(111), cobertos com uma capa de 100 nm de SiO2. Implantação em SIMOX foi o foco principal. Isto nos permitiu obter uma camada sintetizada de SiC separada do Si bulk e analisar as conseqüências estruturais. Neste caso, foi produzida a conversão da camada superior de 65 nm de Si superior da estrutura SIMOX em 30-45 nm de SiC. Implantações seqüenciais de C (passos de fluências de ~ 5 × 1016 C/cm2), seguidas por recozimento à 1250°C, permitiu estimar as fluências mínimas de C para atingir a estequiometria como 2,3 × 1017 C/cm2 e 2,8 × 1017 C/cm2, quando implantado em SIMOX e em Si, respectivamente. Espectrometria de Retroespalhamento de Rutherford (RBS) foi empregada para medir a evolução composicional da camada. Pela análise das implantações seqüenciais...

Formação de nanopartículas de Sn e PbSe via implantação iônica em Si(100)

Marcondes, Tatiana Lisbôa
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Português
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O silício (Si) é o material mais utilizado na fabricação de dispositivos microeletrônicos e fotovoltaicos devido às suas excelentes propriedades físicas e ao alto grau de desenvolvimento das tecnologias de produção alcançadas pela indústria. Conseqüentemente, materiais compatíveis com o Si são alternativas importantes para ampliar o desempenho e a funcionalidade das próximas gerações de dispositivos. O principal objetivo desse trabalho foi estudar sistematicamente a formação de nanopartículas de Sn e de PbSe via implantação iônica seguida de tratamentos térmicos (síntese por feixe de íons), em substrato de silício com orientação (100). Três tipos de substratos foram considerados: substrato sem defeitos, substratos contendo sistemas de bolhas de Ne e substratos contendo cavidades vazias. A formação de nanopartículas de estanho (Sn) foi tomada como caso modelo para otimizar os parâmetros do processo de síntese por feixe de íons. O sistema composto PbSe é interessante por ser semicondutor de gap direto, sendo potencialmente útil para o desenvolvimento de dispositivos optoeletrônicos e fotovoltaicos integrados com o Si. A caracterização estrutural das amostras foi realizada através de técnicas de análise por feixes de íons...

Estudo das propriedades luminescentes e estruturais de nanopartículas (Si, Ge, Eu e Tb) produzidas por implantação a quente

Bregolin, Felipe Lipp
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Português
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36.76%
Neste trabalho, investigamos o comportamento da emissão de fotoluminescência (PL) e a evolução estrutural de diferentes sistemas de nanopartículas em função dos parâmetros utilizados em sua obtenção. O mecanismo básico de emissão de PL desses sistemas torna possível enquadrálos em dois grupos básicos. No primeiro caso (Ge implantado em SiO2 e Si implantado em Si3N4), a origem da PL emitida é devido à presença de centros de defeitos radiativos localizados majoritariamente na interface das nanopartículas com a matriz. No segundo (Tb e Eu implantados em SiO2), a PL tem sua origem em transições eletrônicas de níveis atômicos dos íons de Terras Raras implantados. Para o sistema de nanopartículas de Ge imersas em SiO2, íons de Ge foram implantados com uma energia de 120 keV em um filme de SiO2 de 320 nm de espessura, mantido a uma temperatura constante entre RT e 350 ?. A fluência implantada foi de 0,3 a 2,2 x 1016 Ge/cm². Posteriormente, as amostras foram submetidas a um tratamento térmico a 900 ? em uma atmosfera de N2 por 15 a 120 min, para a formação das nanopartículas bem como a passivação dos defeitos presentes no óxido, produzidos durante a implantação. Como consequência, duas bandas de PL foram observadas...

Estudo de camadas superficiais de SiC e GaAsN sintetizadas por implantação iônica em Si e GaAs

Reis, Roberto Moreno Souza dos
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Português
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36.8%
Semicondutores de gap de banda grande possuem um vasto campo de aplicação na construção de dispositivos que necessitam operar em alta potência, em alta frequência e em ambientes hostis. Nesse trabalho apresentamos um estudo das sínteses de SiC e GaAsN obtidos, respectivamente, por implantação iônica de C em Si pré-implantado com He, e de N em substratos de GaAs. Uma camada de 110 nm de SiO2 foi depositada nos substratos antes do processo de implantação. Essa foi removida após a síntese, expondo as camadas à superfície. Para a síntese de SiC, substratos de Si préimplantados com He foram preparados a fim de gerar um estágio intermediário de substrato do ponto de vista de tensão exercida por esse na camada de SiC em síntese. Apresentamos diferenças entre a síntese do presente trabalho com as sínteses dos trabalhos anteriores, nos quais foram feitas a partir de Si bulk (tensão máxima) e a partir de SIMOX (sem tensão). Análises composicionais e estruturais foram feitas por Espectrometria de Retroespalhamento de Rutherford (RBS), Canalizacão (RBS/C) e Microscopia Eletrônica de Transmissão (TEM). Substratos pré-implantados com He nos levaram a uma redução na fluência mínima de C necessária para a síntese de uma camada de SiC estequiométrica...

Tempo de implantação de sistemas ERP: análise da influência de fatores e aplicação de técnicas de gerenciamento de projetos

Padilha, Thais Cássia Cabral; Costa, Antônio Fernando Branco; Contador, José Luiz; Marins, Fernando Augusto Silva
Fonte: Universidade Federal de São Carlos (UFSCar) Publicador: Universidade Federal de São Carlos (UFSCar)
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: 65-74
Português
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36.73%
Freqüentemente, a implantação de sistemas ERP é complexa e demorada, requerendo, em alguns casos, três ou quatro anos. em geral, um sistema ERP divide-se em módulos cujas implantações são feitas em vários estágios. Um problema sério é que os prazos para a implantação desses módulos são críticos e raramente são cumpridos. Esses atrasos geram insatisfação dos clientes, pois resultam em custos adicionais não previstos. A implantação de sistemas ERP depende de vários fatores, alguns dos quais têm muita influência nos prazos de implantação. Considera-se neste trabalho a técnica de planejamento de experimentos para a determinação dos principais fatores. Além disso, são usados métodos de caminhos críticos para a identificação das atividades que requerem mais investimentos para que haja redução no tempo total de implantação do projeto.; Usually the implementation of ERP systems is very complex, and not immediate, in some cases requires three or even four years. In general, the ERP system is divided in modules, and its implementation is made in stages. At each stage, a few modules are implemented. According to several authors the deadlines of modules implementation are critical, and rarely are obeyed...

Estudo de defeitos induzidos pela implantação/irradiação de íons em Si(001) por difração de raios-X de n-feixes; Study of defects induced by ion implantation/irradiation in Si(001) by means of n-beam X-ray diffraction

Guilherme Calligaris de Andrade
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: dissertação de mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 20/05/2014 Português
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O alto controle e reprodutibilidade envolvidos nas técnicas de implantação e de irradiação iônica fazem com que elas sejam muito utilizadas por permitir modificação estrutural de semicondutores, possibilitando, por exemplo, a geração de defeitos estruturais que atuam como centros de recombinação radiativa de portadores para aplicação em eficientes dispositivos emissores de luz baseados em Silício. Igualmente necessária é a caracterização estrutural desses materiais modificados, como os sistemas provenientes de engenharia de defeitos, promovendo um correto e abrangente entendimento que irá contribuir para a otimização dos seus processos de síntese. Nesse contexto, e motivados por resultados recentes, o presente trabalho visa aplicar técnicas de raios-X com boa resolução no estudo de defeitos gerados pelos processos de implantação e irradiação em dois sistemas distintos baseados em Silício. O primeiro sistema, em que amostras de Si(001) foram implantadas com Fe+ e irradiadas com Au++, mostrou uma forte absorção na região de UV (maior para a amostra implantada e irradiada) durante seus estudos preliminares de reflectância óptica UV-Vis. O segundo, em que amostras de Si(001) implantados com Xe+ e submetidas a posterior tratamento térmico de 600...

Os impactos na contabilidade com a implantação de um sistema ERP – Um estudo de caso em uma cooperativa médica

Fernandes, Stephanie Nilda
Fonte: Florianópolis Publicador: Florianópolis
Tipo: tccgrad Formato: f.; 54 f.
Português
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36.73%
TCC (Graduação) - Universidade Federal de Santa Catarina. Centro Socioeconômico. Curso de Ciências Contábeis; Este trabalho tem como escopo verificar os impactos observados na contabilidade com a implantação de um sistema de gestão integrado, mostrando como os processos da área contábil foram afetados com a implantação do sistema. Esses sistemas visam integrar em uma única base de dados todas as informações da organização, oferecendo a otimização do tempo e a obtenção de informações em tempo real. O objetivo desta pesquisa é descrever os impactos observados na contabilidade com a implantação de um sistema ERP em uma cooperativa médica. Para a consecução deste objetivo, foi aplicado um questionário com contadores atuantes na área contábil da organização onde foi realizado o estudo de caso. Assim, inicialmente descreveu-se um pouco da história e evolução da contabilidade, apresentaram-se sistemas, sistemas de informação e os sistemas de informações contábeis e conceitos a respeito de sistemas de gestão integrada, bem como se dá o processo de implantação destes sistemas. Neste contexto constatou-se que a contabilidade passou por mudanças significativas com a implantação, tais como: integração das demais áreas com a contabilidade via sistema por meio dos lotes contábeis...

Endométrio na janela de implantação em mulheres com síndrome dos ovários policísticos

Lopes,Ione Maria Ribeiro Soares; Baracat,Maria Cândida Pinheiro; Simões,Manuel de Jesus; Simões,Ricardo Santos; Baracat,Edmund Chada; Soares Jr,José Maria
Fonte: Associação Médica Brasileira Publicador: Associação Médica Brasileira
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: text/html
Publicado em 01/12/2011 Português
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O endométrio humano é submetido a uma complexa série de mudanças proliferativas e secretórias em cada ciclo menstrual e exibe somente pequeno período de receptividade, conhecido como "janela de implantação", necessário para a nidação do blastocisto no útero. O processo da implantação ocorre de forma sequencial, levando ao estabelecimento da gravidez. Alterações morfofuncionais durante este período podem impedir ou dificultar a implantação. Por este motivo, o estudo do endométrio nesta fase é importante para o aprimoramento de terapias que possam interferir nos mecanismos envolvidos na interção materno-embrionária. Várias doenças ginecológicas, incluindo a síndrome dos ovários policísticos (SOP), estão associadas à diminuição da fecundidade e da receptividade uterinas. Apesar de recentes avanços nas técnicas de reprodução assistida, permitindo a seleção de embriões de alta qualidade, a taxa de implantação continua baixa e não tem aumentado suficientemente nas últimas décadas. O presente artigo tem como objetivo revisar os aspectos endometriais da "janela de implantação" em mulheres com a síndrome dos ovários policísticos, focando especialmente as moléculas de adesão. Para tanto, nos valemos da análise de 105 artigos publicados em revistas indexadas no PUBMED nos últimos 50 anos (até maio de 2011). Como conclusão...

Tempo de implantação de sistemas ERP: análise da influência de fatores e aplicação de técnicas de gerenciamento de projetos

Padilha,Thais Cássia Cabral; Costa,Antônio Fernando Branco; Contador,José Luiz; Marins,Fernando Augusto Silva
Fonte: Universidade Federal de São Carlos Publicador: Universidade Federal de São Carlos
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: text/html
Publicado em 01/04/2004 Português
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Freqüentemente, a implantação de sistemas ERP é complexa e demorada, requerendo, em alguns casos, três ou quatro anos. Em geral, um sistema ERP divide-se em módulos cujas implantações são feitas em vários estágios. Um problema sério é que os prazos para a implantação desses módulos são críticos e raramente são cumpridos. Esses atrasos geram insatisfação dos clientes, pois resultam em custos adicionais não previstos. A implantação de sistemas ERP depende de vários fatores, alguns dos quais têm muita influência nos prazos de implantação. Considera-se neste trabalho a técnica de planejamento de experimentos para a determinação dos principais fatores. Além disso, são usados métodos de caminhos críticos para a identificação das atividades que requerem mais investimentos para que haja redução no tempo total de implantação do projeto.

Metodologia de implantação de software corporativo

José de Souza, Edilson; Marcos Lins de Vasconcelos, Alexandre (Orientador)
Fonte: Universidade Federal de Pernambuco Publicador: Universidade Federal de Pernambuco
Tipo: other
Português
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36.78%
Com a necessidade de melhorar o produto de software para aumentar a competitividade no mercado, as empresas e profissionais de Tecnologia da Informação iniciaram a busca pela qualidade, e para isso, passaram a fazer uso de vários modelos de melhores práticas e disciplinas como RUP [IBM, 2008], CMMI [CMU/SEI, 2007], PMBOK [PMI, 2004], MPS-BR [SOFTEX, 2008], Normas ISO [ABNT, 2004], COBIT [ISACA, 2008] e ITIL [ITIL, 2008] entre outros. Contudo, embora cada um tenha trazido sua importante colaboração para a área de TI1 e para a melhoria do processo de software, o processo de implantação do software no usuário final não recebeu tratamento de processo específico e necessário, levando a que vários projetos de software tenham insucesso na sua conclusão. O tratamento dado ao processo de implantação de software pelos modelos e disciplinas atuais, desconsidera a complexidade de implantação dos grandes sistemas integrados de gestão conhecidos como ERP2, e também dos sistemas específicos aplicados a grandes corporações e governos, fazendo com que as empresas desenvolvedoras destes softwares, criem e apliquem metodologias de implantação customizáveis e proprietárias que são tratadas como patrimônio. O objetivo deste trabalho é criar uma metodologia de implantação de software corporativo...

Uma arquitetura para a implantação automática de serviços em infraestruturas de nuvem

Otero, Lenin Ernesto Abadié; Meira, Silvio Romero de Lemos (orientador); Rosa, Nelson Souto (co-orientador)
Fonte: Universidade Federal de Pernambuco Publicador: Universidade Federal de Pernambuco
Tipo: dissertacao
Português
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A Computação em Nuvem é um novo modelo de computação que surge como um novo paradigma e que vem ganhando força e aceitação tanto na indústria quanto na academia. Este modelo oferece recursos compartilhados que são acessados via Internet para o desenvolvimento, implantação e execução de serviços. Para isto, a computação em nuvem oferece Software como Serviço (SaaS), para consumo dos usuários via Internet, Plataforma como Serviço (PaaS), para o desenvolvimento de aplicações na própriaWeb, e Infraestrutura como Serviço (IaaS), para disponibilizar recursos computacionais onde as aplicações serão implantadas. Os provedores de infraestrutura na nuvem, tais como, Amazon EC2, RackSpace e GoGrid, oferecem recursos de computação (por exemplo, CPU, memória, armazenamento e rede) para a implantação de serviços e aplicações. No entanto, o processo de implantação nesses ambientes ainda é um desafio a ser superado. Isso acontece devido à necessidade de realizar várias tarefas relacionadas com a criação de imagens de máquinas virtuais, instalação e configuração da pilha de software adequada para executar um aplicativo. Esta dissertação apresenta uma arquitetura para implantação de serviços em ambientes de nuvem. A arquitetura proposta visa automatizar as tarefas envolvidas no processo de implantação e com isto diminuir o tempo e o esforço de desenvolvedores para realizar estas tarefas de forma transparente. A partir desta arquitetura proposta foi desenvolvida uma ferramentaWeb...